GB/T 32495-2016 表面化學(xué)分析 二次離子質(zhì)譜 硅中砷的深度剖析方法

標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 32495-2016

　　中文標(biāo)準(zhǔn)名稱：表面化學(xué)分析 二次離子質(zhì)譜 硅中砷的深度剖析方法

　　英文標(biāo)準(zhǔn)名稱：Surface chemical analysis—Secondary-ion mass spectrometry—Method for depth profiling of arsenic in silicon

　　標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行

　　中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)：(CCS)G04

　　標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)：(ICS)71.040.40

　　發(fā)布日期：2016-02-24

　　實(shí)施日期：2017-01-01

　　主管部門：標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

　　歸口單位：微束分析標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)

主要起草單位

　　中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所 。

主要起草人

　　馬農(nóng)農(nóng) 、陳瀟 、何友琴 、王東雪 。

相近標(biāo)準(zhǔn)(計(jì)劃)

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　　GB/T 34326-2017 表面化學(xué)分析 深度剖析 AES和XPS深度剖析時(shí)離子束對(duì)準(zhǔn)方法及其束流或束流密度測(cè)量方法