GB/T 37049-2018 電子級(jí)多晶硅中基體金屬雜質(zhì)含量的測(cè)定 電感耦合等離子體質(zhì)譜法

GB/T 37049-2018 電子級(jí)多晶硅中基體金屬雜質(zhì)含量的測(cè)定 電感耦合等離子體質(zhì)譜法

　　Test method for the content of metal impurity in electronic grade polysilicon—Inductively coupled-plasma mass spectrometry method

　　標(biāo)準(zhǔn) 推薦性 現(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn)《電子級(jí)多晶硅中基體金屬雜質(zhì)含量的測(cè)定 電感耦合等離子體質(zhì)譜法》由TC203(半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì))歸口上報(bào)及執(zhí)行，主管部門(mén)為標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)。

GB/T 37049-2018主要起草單位

江蘇中能硅業(yè)科技發(fā)展有限公司 、青海黃河上游水電開(kāi)發(fā)有限責(zé)任公司新能源分公司 、有研半導(dǎo)體材料有限公司 、宜昌南玻硅材料有限公司 、新特能源股份有限公司 、洛陽(yáng)中硅高科技有限公司 。

GB/T 37049-2018主要起草人

魯文鋒 、劉曉霞 、秦榕 、孫燕 、趙而敬 、王桃霞 、趙玉 、王忠慧 、柳德發(fā) 、張園園 、銀波 、邱艷梅 、劉強(qiáng) 。

GB/T 37049-2018相近標(biāo)準(zhǔn)(計(jì)劃)

20141873-T-469 電子級(jí)多晶硅中基體金屬雜質(zhì)含量的測(cè)定 電感耦合等離子體質(zhì)譜法
YS/T 980-2014 高純?nèi)趸夒s質(zhì)含量的測(cè)定 電感耦合等離子體質(zhì)譜法
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