GB/T 37051-2018 太陽能級多晶硅錠、硅片晶體缺陷密度測定方法

GB/T 37051-2018 太陽能級多晶硅錠、硅片晶體缺陷密度測定方法

　　Test method for determination of crystal defect density in PV silicon ingot and wafer

　　標準 推薦性 現(xiàn)行英文版計劃標準《太陽能級多晶硅錠、硅片晶體缺陷密度測定方法》由TC203(半導體設備和材料標準化技術委員會)歸口上報及執(zhí)行，主管部門為標準化管理委員會。

GB/T 37051-2018主要起草單位

英利集團有限公司 、中國電子技術標準化研究院 、江西賽維LDK太陽能高科技有限公司 、泰州中來光電科技有限公司 、晉能清潔能源科技有限公司 、鎮(zhèn)江仁德新能源科技有限公司 、天津英利新能源有限公司 。

GB/T 37051-2018主要起草人

李鋒 、李英葉 、段青春 、張偉 、吳翠姑 、馮亞彬 、裴會川 、程小娟 、唐駿 。

GB/T 37051-2018相近標準(計劃)

20141879-T-469 太陽能級多晶硅錠、硅片晶體缺陷密度測定方法
GB/T 25074-2017 太陽能級多晶硅
20080034-T-469 太陽能級多晶硅
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